[发明专利]具有半金属性的补偿亚铁磁薄膜及制备方法在审
| 申请号： | 202111071368.3 | 申请日： | 2021-09-13 |
| 公开（公告）号： | CN113793898A | 公开（公告）日： | 2021-12-14 |
| 发明（设计）人： | 赵旭鹏;孙宏利;赵建华 | 申请（专利权）人： | 中国科学院半导体研究所 |
| 主分类号： | H01L43/10 | 分类号： | H01L43/10;H01L43/12 |
| 代理公司： | 中科专利商标代理有限责任公司 11021 | 代理人： | 任岩 |
| 地址： | 100083 *** | 国省代码： | 北京;11 |
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| 摘要： | 一种具有半金属性的补偿亚铁磁薄膜，包括：基片(1)，平滑层(2)，生长于基片(1)上，为磁性层(3)提供良好的界面和晶格匹配，磁性层(3)，生长于平滑层(2)上，具有半金属性和补偿亚铁磁性，覆盖层(4)，生长于磁性层(3)上，具有保护薄膜的作用。本公开还提供了该补偿亚铁磁薄膜的制备方法。该补偿亚铁磁薄膜具有半金属性和补偿亚铁磁性，具有低净磁矩和高自旋极化度等优越性质，在自旋电子学领域具有很大的发展前景。 | ||
| 搜索关键词： | 具有 金属性 补偿 亚铁 薄膜 制备 方法 | ||
【主权项】：
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