[发明专利]晶圆背封结构及制造方法在审
| 申请号： | 202111070680.0 | 申请日： | 2021-09-13 |
| 公开（公告）号： | CN113793802A | 公开（公告）日： | 2021-12-14 |
| 发明（设计）人： | 陶磊;王厚有;周成;冯永波 | 申请（专利权）人： | 晶芯成（北京）科技有限公司 |
| 主分类号： | H01L21/02 | 分类号： | H01L21/02;H01L29/06 |
| 代理公司： | 上海思微知识产权代理事务所(普通合伙) 31237 | 代理人： | 田婷 |
| 地址： | 100176 北京市大兴区北京经济技术开*** | 国省代码： | 北京;11 |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | 本发明提供了一种晶圆背封结构的制造方法，包括：提供一衬底，所述衬底为重掺杂衬底，所述衬底具有相对设置的第一表面和第二表面，所述衬底的第一表面上形成有外延层；在所述外延层的表面、所述外延层和所述衬底的侧壁上形成保护层；在所述衬底的第二表面形成晶圆背封结构；去除所述外延层的表面、所述外延层和所述衬底的侧壁上的保护层。进一步的所述晶圆背封结构采用热氧化工艺生成，由于晶圆背封结构采用热氧化工艺，需要消耗衬底生长的晶圆背封结构，致密性高，在后续进行炉管工艺时，避免了晶圆背封结构脱落的问题；同时由于在形成晶圆背封结构时，衬底上第一表面的外延层被保护层保护，避免外延层被消耗破坏。 | ||
| 搜索关键词： | 晶圆背封 结构 制造 方法 | ||
【主权项】：
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
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