[发明专利]一种降低晶硅太阳能电池EL绕镀脏污的PECVD工艺在审
| 申请号： | 202111063846.6 | 申请日： | 2021-09-10 |
| 公开（公告）号： | CN113782639A | 公开（公告）日： | 2021-12-10 |
| 发明（设计）人： | 段少雷;彭平;陈庆发;郭飞;陈磊;夏中高;李旭杰 | 申请（专利权）人： | 平煤隆基新能源科技有限公司 |
| 主分类号： | H01L31/18 | 分类号： | H01L31/18;C23C16/02;C23C16/34;C23C16/44;C23C16/505 |
| 代理公司： | 郑州隆盛专利代理事务所(普通合伙) 41143 | 代理人： | 鲍立阳 |
| 地址： | 461700 河南省许*** | 国省代码： | 河南;41 |
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| 摘要： | 本发明公开了一种降低晶硅太阳能电池EL绕镀脏污的PECVD工艺，涉及硅太阳能电池制造领域，包括S1：装片、进舟；S2：一次升温通气；S3：抽真空；S4：检漏；S5：二次恒温通气；S6：恒压通气；S7：多层工艺沉积；S8：抽真空；S9：回压；S10：出舟；S11：卸载硅片，利用自动化将工艺后的硅片从石墨舟内取出，插入花篮中，转交到下一个工序，本发明通过在PECVD工艺过程中减少污染源及提高氮化硅的钝化效果来抵消氧化铝绕镀引起的EL脏污问题。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 降低 太阳能电池 el 脏污 pecvd 工艺 | ||
【主权项】：
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L31-00 对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射，或微粒辐射敏感的，并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的，或者专门适用于通过这样的辐射进行电能控制的半导体器件；专门适用于制造或处理这些半导体器件或其部件的方法或
H01L31-02 .零部件
H01L31-0248 .以其半导体本体为特征的
H01L31-04 .用作转换器件的
H01L31-08 .其中的辐射控制通过该器件的电流的，例如光敏电阻器
H01L31-12 .与如在一个共用衬底内或其上形成的，一个或多个电光源，如场致发光光源在结构上相连的，并与其电光源在电气上或光学上相耦合的
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