[发明专利]一种降低晶硅太阳能电池EL绕镀脏污的PECVD工艺

权利要求书

1.一种降低晶硅太阳能电池EL绕镀脏污的PECVD工艺，其特征在于，包括以下步骤：

S1：装片、进舟，先通过自动化设备将背镀膜后的硅片装入正镀膜工序石墨舟内，然后打开炉门，自动化将装满待工艺硅片的石墨舟搬运输送到工艺炉管内，关闭炉门；

S2：一次升温通气，炉管有加热控温系统，首先将工艺炉管内自动升温至工艺设置温度480-530℃，反应需要在恒定的温度条件下进行，时间300-500s，使反应腔体内温度达到并恒定在设置温在度480-530℃，同时通入5000-10000sccm的氮气，带走腔体内的空气及湿气，防止空气或湿气污染硅片，导致绕镀脏污的出现；

S3：抽真空，对S2步骤处理后的工艺炉管进行抽真空，达到薄膜沉积反应所需要的真空条件，设置温度在480-530℃，步骤时长200-300s；

S4：检漏，反应需要在真空条件下完成，检测反应腔体的密封性，符合工艺所需的漏率，防止空气进入；

S5：二次恒温通气，向S4步骤处理后的工艺炉管内通入5000-10000sccm氨气，均衡腔体内温度的同时缓慢分解出氢气，吸附在硅片表面，在后续放电过程中形成含有较多H+的离子团，提高硅片表面的钝化效果，降低绕镀脏污的出现，设置温度在480-530℃，步骤时长100-200s；

S6：恒压通气，沉积薄膜之前，向S5步骤处理后的工艺炉管的反应腔室预通入一定量的工艺气体硅烷、氨气，使炉管提前达到工艺所需压力氛围，本恒压条件设置为温度在480-530℃；

S7：多层工艺沉积，第一次通入工艺气体硅烷、氨气，设置射频电源开关时间比例进行放电，在硅片表面沉积生成第一层氮化硅薄膜；然后第二次通入工艺气体硅烷、氨气，设置射频电源开关时间比例进行放电，在硅片表面沉积生成第二层氮化硅薄膜；最后第三次通入工艺气体硅烷、氨气，设置射频电源开关时间比例进行放电，在硅片表面沉积生成第三层氮化硅薄膜；

S8：抽真空，多层工艺沉积结束后，将未反应的气体及一些生成物通过真空泵抽出腔体，保证无任何硅烷、氨气残留在腔体内，抽真空条件设置为：温度在480-530℃，步骤时长40-60s；

S9：回压，向反应腔体内充入氮气，使压力回到常压下，为开炉门做好准备，回压条件设置为：温度在480-530℃、氮气流量10000-30000sccm、步骤时长50-80s；

S10：出舟，打开炉门，自动化将装满已工艺结束的硅片的石墨舟从炉管内输送出来，关闭炉门，出舟速度在3500cm/min，步骤时长80-100s；

S11：卸载硅片，利用自动化将工艺后的硅片从石墨舟内取出，插入花篮中，转交到下一个工序。

2.根据权利要求1所述的一种降低晶硅太阳能电池EL绕镀脏污的PECVD工艺，其特征在于，所述步骤S1中进舟速度设置3500cm/min，步骤时长80-100s。

3.根据权利要求1所述的一种降低晶硅太阳能电池EL绕镀脏污的PECVD工艺，其特征在于，所述第一次工艺沉积的参数设置为：温度设置在480-530℃、硅烷流量1500-2000sccm、氨气流量6000-10000sccm、射频电源功率15-18Kw、射频电源打开时间4-8ms、关闭时间50-100ms、步骤时长200-300s。

4.根据权利要求1所述的一种降低晶硅太阳能电池EL绕镀脏污的PECVD工艺，其特征在于，所述第二次工艺沉积的参数设置为：温度设置在480-530℃、硅烷流量1000-1500sccm、氨气流量9000-13000sccm、射频电源功率17-20Kw、射频电源打开时间4-8ms、关闭时间50-100ms、步骤时长100-200s。

5.根据权利要求1所述的一种降低晶硅太阳能电池EL绕镀脏污的PECVD工艺，其特征在于，所述第三次工艺沉积的参数设置为：温度设置在480-530℃、硅烷流量700-1200sccm、氨气流量9000-13000sccm、射频电源功率17-20Kw、射频电源打开时间4-8ms、关闭时间50-100ms、步骤时长450-550s。