[发明专利]具有分区差异化TCO薄膜的硅异质结太阳电池在审
申请号: | 202111062515.0 | 申请日: | 2021-09-10 |
公开(公告)号: | CN113948592A | 公开(公告)日: | 2022-01-18 |
发明(设计)人: | 赵晓霞;王伟;田宏波;王雪松;宫元波;王彩霞;宗军 | 申请(专利权)人: | 国家电投集团科学技术研究院有限公司 |
主分类号: | H01L31/0224 | 分类号: | H01L31/0224;H01L31/0216;H01L31/0747 |
代理公司: | 北京清亦华知识产权代理事务所(普通合伙) 11201 | 代理人: | 蒋松 |
地址: | 102209 北京市昌平区未来科技城国*** | 国省代码: | 北京;11 |
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摘要: | 本发明涉及太阳电池技术领域,公开了一种具有分区差异化TCO薄膜的硅异质结太阳电池,包括硅异质结主体、第一TCO层、第二TCO层和栅线,第一TCO层设在硅异质结主体的上表面,第二TCO层设在硅异质结主体的下表面,栅线分别设在第一TCO层的上表面和第二TCO层的下表面,第一TCO层包括相连的高透TCO薄膜和低阻TCO薄膜,栅线与低阻TCO薄膜相对设置;和/或,第二TCO层包括相连的高透TCO薄膜和低阻TCO薄膜,栅线与低阻TCO薄膜相对设置。本发明有利于电池获得高的短路电流密度,还有利于提高填充因子,在不同区域弱化光学性能与电学性能的关联性,拓宽工艺窗口,进一步提高电池性能。 | ||
搜索关键词: | 具有 分区 异化 tco 薄膜 硅异质结 太阳电池 | ||
【主权项】:
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H01L31-02 .零部件
H01L31-0248 .以其半导体本体为特征的
H01L31-04 .用作转换器件的
H01L31-08 .其中的辐射控制通过该器件的电流的,例如光敏电阻器
H01L31-12 .与如在一个共用衬底内或其上形成的,一个或多个电光源,如场致发光光源在结构上相连的,并与其电光源在电气上或光学上相耦合的
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