[发明专利]一种衬底电荷耦合的1200V体硅LDMOS及其制备方法有效
| 申请号： | 202111055507.3 | 申请日： | 2021-09-09 |
| 公开（公告）号： | CN113782609B | 公开（公告）日： | 2022-12-09 |
| 发明（设计）人： | 张龙;崔永久;马杰;王肖娜;袁帅;祝靖;孙伟锋;时龙兴 | 申请（专利权）人： | 东南大学;东南大学—无锡集成电路技术研究所 |
| 主分类号： | H01L29/78 | 分类号： | H01L29/78;H01L29/10;H01L29/06;H01L21/336 |
| 代理公司： | 南京瑞弘专利商标事务所(普通合伙) 32249 | 代理人： | 沈廉 |
| 地址： | 211189 江*** | 国省代码： | 江苏;32 |
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| 摘要： | 本发明是一种衬底电荷耦合的1200V体硅LDMOS及其制备方法，在P型衬底上设有N型SN埋层，在N型SN埋层上方且靠近漏极侧设有N型DN埋层，在N型SN埋层上方且靠近源极侧设有5个P型BP埋层。P型BP埋层和N型DN埋层上方设有P型P‑well体区、N型漂移区和N型N‑well缓冲层。漂移区上方设有场氧化层、多晶硅栅、二氧化硅氧化层和金属场板，其中金属场板横跨于场氧化层上方，多晶硅栅自源极N型重掺杂区上方经过P型P‑well体区，延伸至场氧化层上方。源极N型重掺杂区和源极P型重掺杂区通过源极金属和源极相连，漏极N型重掺杂区通过漏极金属和漏极相连。本发明结构在低衬底电阻率的衬底材料下即可实现1200V的耐压需求。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 衬底 电荷 耦合 1200 体硅 ldmos 及其 制备 方法 | ||
【主权项】：
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