[发明专利]以四氯化钛为钛源的制备钛基纳米自清洁薄膜的方法在审
| 申请号： | 202111054953.2 | 申请日： | 2021-09-09 |
| 公开（公告）号： | CN113735456A | 公开（公告）日： | 2021-12-03 |
| 发明（设计）人： | 李文靓;彭穗;辛亚男 | 申请（专利权）人： | 成都先进金属材料产业技术研究院股份有限公司 |
| 主分类号： | C03C17/22 | 分类号： | C03C17/22;C03C17/245;C23C18/12;B08B11/04 |
| 代理公司： | 成都虹桥专利事务所(普通合伙) 51124 | 代理人： | 许泽伟 |
| 地址： | 610306 四川省成都市中国（四川）自由贸易试验区成都市青白江区*** | 国省代码： | 四川;51 |
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| 摘要： |
本发明公开了一种以四氯化钛为钛源的制备钛基纳米自清洁薄膜的方法，属于纳米钛基薄膜制备技术领域。本发明为克服现有钛基薄膜的问题，提供了一种以四氯化钛为钛源的制备钛基纳米自清洁薄膜的方法，包括：以TiCl |
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| 搜索关键词： | 氯化 制备 纳米 清洁 薄膜 方法 | ||
【主权项】：
暂无信息
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