[发明专利]一种紫外光增强的复合结构光调控薄膜在审
申请号: | 202111053966.8 | 申请日: | 2021-09-09 |
公开(公告)号: | CN113764453A | 公开(公告)日: | 2021-12-07 |
发明(设计)人: | 陶春先 | 申请(专利权)人: | 苏州光迈科技有限公司 |
主分类号: | H01L27/146 | 分类号: | H01L27/146;H01L27/148;G02B5/00;G02B1/11;G02B1/10 |
代理公司: | 暂无信息 | 代理人: | 暂无信息 |
地址: | 215427 江苏省苏州市*** | 国省代码: | 江苏;32 |
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摘要: | 本发明为一种紫外光增强的复合结构光调控薄膜,可用于提高探测器在近紫外甚至真空紫外检测的响应灵敏度。设计制作的复合结构薄膜传感器,由衬底层、金属纳米粒子层、缓冲层、发光层、隔离层和减反射层组成。通过调控使纳米粒子的共振吸收波长和发光层的发射波长匹配,从而形成了较强的等离子体共振耦合电磁场,使得发光材料的辐射复合速率和激发态荧光分子的数量增加。发明的紫外光增强的复合结构光调控薄膜在120~200nm处和240~360nm处均实现了发射强度增强。此外,隔离层和减反射层在减少入射能量损耗的同时,还对发光层起到隔离水汽、减缓氧化的保护作用。 | ||
搜索关键词: | 一种 紫外光 增强 复合 结构 调控 薄膜 | ||
【主权项】:
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L27-00 由在一个共用衬底内或其上形成的多个半导体或其他固态组件组成的器件
H01L27-01 .只包括有在一公共绝缘衬底上形成的无源薄膜或厚膜元件的器件
H01L27-02 .包括有专门适用于整流、振荡、放大或切换的半导体组件并且至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的;包括至少有一个跃变势垒或者表面势垒的无源集成电路单元的
H01L27-14 . 包括有对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射或者微粒子辐射并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的,或适用于通过这样的辐射控制电能的半导体组件的
H01L27-15 .包括专门适用于光发射并且包括至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的半导体组件
H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料结点的热电元件的;包括有热磁组件的
H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L27-00 由在一个共用衬底内或其上形成的多个半导体或其他固态组件组成的器件
H01L27-01 .只包括有在一公共绝缘衬底上形成的无源薄膜或厚膜元件的器件
H01L27-02 .包括有专门适用于整流、振荡、放大或切换的半导体组件并且至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的;包括至少有一个跃变势垒或者表面势垒的无源集成电路单元的
H01L27-14 . 包括有对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射或者微粒子辐射并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的,或适用于通过这样的辐射控制电能的半导体组件的
H01L27-15 .包括专门适用于光发射并且包括至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的半导体组件
H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料结点的热电元件的;包括有热磁组件的