[发明专利]一种氧化镓单晶生长装置在审
| 申请号： | 202111050800.0 | 申请日： | 2021-09-08 |
| 公开（公告）号： | CN113913924A | 公开（公告）日： | 2022-01-11 |
| 发明（设计）人： | 陈端阳;齐红基;赛青林 | 申请（专利权）人： | 杭州富加镓业科技有限公司 |
| 主分类号： | C30B15/34 | 分类号： | C30B15/34;C30B15/16;C30B29/16 |
| 代理公司： | 深圳市君胜知识产权代理事务所(普通合伙) 44268 | 代理人： | 徐凯凯 |
| 地址： | 311400 浙江省杭州市富*** | 国省代码： | 浙江;33 |
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| 摘要： | 本发明公开了一种氧化镓单晶生长装置，其包括氧化镓晶体生长炉以及设置在所述氧化镓晶体炉侧边的激光辅助加热器，所述激光辅助加热器发出的激光射入所述氧化镓晶体生长炉内部。本发明通过引入激光辅助加热器，利用激光定向精准加热功能，使模具口附近的晶体生长固液界面处的过冷区域快速局部升温，可以在很短的时间内消除过冷现象，从而确保高质量氧化镓晶体的顺利生长。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 氧化 镓单晶 生长 装置 | ||
【主权项】：
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