[发明专利]一种晶圆制备方法在审
| 申请号： | 202111044087.9 | 申请日： | 2021-09-07 |
| 公开（公告）号： | CN113948373A | 公开（公告）日： | 2022-01-18 |
| 发明（设计）人： | 严立巍;符德荣;李景贤 | 申请（专利权）人： | 浙江同芯祺科技有限公司 |
| 主分类号： | H01L21/18 | 分类号： | H01L21/18 |
| 代理公司： | 工业和信息化部电子专利中心 11010 | 代理人： | 华枫 |
| 地址： | 312000 浙江省绍兴*** | 国省代码： | 浙江;33 |
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| 摘要： |
本发明提出了一种晶圆制备方法。方法包括：S100，在硅基板的键合面光刻形成多个具有预设角度和预设深度的容纳槽；S200，在具有容纳槽的键合面上形成第一SiO |
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| 搜索关键词： | 一种 制备 方法 | ||
【主权项】：
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
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