[发明专利]基于热阻抗特征频率的功率半导体器件健康状态评估方法有效
申请号: | 202111030719.6 | 申请日: | 2021-09-03 |
公开(公告)号: | CN113702794B | 公开(公告)日: | 2022-07-15 |
发明(设计)人: | 马柯;钟权 | 申请(专利权)人: | 上海交通大学 |
主分类号: | G01R31/26 | 分类号: | G01R31/26;G06F30/398;G06F119/02;G06F119/04 |
代理公司: | 上海恒慧知识产权代理事务所(特殊普通合伙) 31317 | 代理人: | 徐红银 |
地址: | 200240 *** | 国省代码: | 上海;31 |
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摘要: | 本发明提供了一种基于热阻抗特征频率的功率半导体器件健康状态检测方法,包括:提取功率半导体器件及其散热器的热阻抗特征频率;检测n个所述热阻抗特征频率的变化情况;将所述热阻抗特征频率的变化情况,与健康状态下的热阻抗特征频率进行对比,评估所述功率半导体器件的健康状态。本发明中通过提取功率半导体器件输出热流与结、壳、散热器温度曲线,获得功率半导体器件及其散热器的热阻抗特征频率;通过多个热阻抗特征频率变化趋势,反映功率半导体器件内、外不同位置的健康状态。本发明可以高效、低成本、非侵入地检测功率半导体器件内外部健康状态。 | ||
搜索关键词: | 基于 阻抗 特征 频率 功率 半导体器件 健康 状态 评估 方法 | ||
【主权项】:
暂无信息
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