[发明专利]用于降低欧姆接触电阻的发光二极管外延片及其制造方法有效
| 申请号： | 202111023442.4 | 申请日： | 2021-09-01 |
| 公开（公告）号： | CN113990993B | 公开（公告）日： | 2023-10-13 |
| 发明（设计）人： | 王群;葛永晖;王江波;董彬忠;李鹏 | 申请（专利权）人： | 华灿光电（浙江）有限公司 |
| 主分类号： | H01L33/40 | 分类号： | H01L33/40;H01L33/00 |
| 代理公司： | 北京三高永信知识产权代理有限责任公司 11138 | 代理人： | 吕耀萍 |
| 地址： | 322000 浙江省*** | 国省代码： | 浙江;33 |
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| 摘要： | 本公开提供了一种用于降低欧姆接触电阻的发光二极管外延片及其制造方法，属于半导体技术领域。所述发光二极管外延片包括多孔氮化镓基底、以及依次层叠在所述基底上的未掺杂的GaN层、N型波导层、多量子阱层、复合P型波导层和P型接触层，所述P型接触层包括依次层叠的第一子层、第二子层和第三子层，所述第一子层和第三子层均为掺Mg的GaN层，所述第二子层为不掺杂的GaN层，且所述第二子层的与所述第三子层接触的一面均布有多个纳米颗粒。该发光二极管外延片可以降低P型接触层的欧姆接触电阻，提高LED的发光效率。 | ||
| 搜索关键词： | 用于 降低 欧姆 接触 电阻 发光二极管 外延 及其 制造 方法 | ||
【主权项】：
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