[发明专利]硅基太阳能电池单元及其制造方法

摘要

根据本公开的至少一实施例提供一种硅电池单元的制造方法和电池单元，其包括提供中间半导体结构，其包括：第一型的硅基底；在硅基底的第一表面上的多个第一掺杂部分和第一钝化层；在硅基底的第二表面上的钝化介质层和选择性载流子传输层。该方法还包括：通过在中间半导体结构的第一钝化层的背离硅基底的表面上印刷第一浆料并进行烧结处理而形成多个第一接触电极，第一接触电极穿透第一钝化层而与第一掺杂部分欧姆接触，这样，第一接触电极与第一掺杂部分之间虽然接触但局部地存在第一钝化层，这降低了第一电极和第一掺杂部分之间的金属复合，提高了硅基太阳能电池单元的开路电压和填充因子等性能。