[发明专利]筛查存在漏电通路的MOS器件的方法有效
| 申请号： | 202111011888.5 | 申请日： | 2021-08-31 |
| 公开（公告）号： | CN113725114B | 公开（公告）日： | 2023-09-19 |
| 发明（设计）人： | 王莹雪;方益 | 申请（专利权）人： | 杭州广立微电子股份有限公司 |
| 主分类号： | H01L21/66 | 分类号： | H01L21/66;H01L23/544 |
| 代理公司： | 江苏坤象律师事务所 32393 | 代理人： | 赵新民 |
| 地址： | 310012 浙江省杭州市西*** | 国省代码： | 浙江;33 |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | 本发明提供筛查存在漏电通路的MOS器件的方法，包括：读入待筛查的版图文件，获取所述版图文件中的MOS器件信息；利用预设的漏电通路筛查模块判断MOS器件是否存在漏电通路；将判断结果为存在漏电通路的MOS器件，作为筛查得到的MOS器件。步骤简洁，利于提高器件真实电学特性的分析的效率，筛查结果的可靠性高。有利于降低工艺研发成本，解决了人工检查费时和易产生疏漏的问题，当MOS器件数量较多时，利用漏电通路筛查模块进行自动化筛查的优势尤为明显；避免了器件真实电学特性的分析中存在的不利因素。 | ||
| 搜索关键词： | 存在 漏电 通路 mos 器件 方法 | ||
【主权项】：
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
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