[发明专利]SONOS存储器的工艺方法有效
| 申请号： | 202111010347.0 | 申请日： | 2021-08-31 |
| 公开（公告）号： | CN113782540B | 公开（公告）日： | 2023-08-22 |
| 发明（设计）人： | 王宁;张可钢 | 申请（专利权）人： | 上海华虹宏力半导体制造有限公司 |
| 主分类号： | H10B43/00 | 分类号： | H10B43/00;H10B43/35 |
| 代理公司： | 上海浦一知识产权代理有限公司 31211 | 代理人： | 焦健 |
| 地址： | 201203 上海市浦东*** | 国省代码： | 上海;31 |
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| 摘要： | 本发明公开了一种SONOS存储器的工艺方法，包含：半导体衬底上淀积一层第一氧化层，然后在氧化层表面再沉积一层氮化硅层；使氮化硅层图案化；在整个半导体衬底表面沉积第一多晶硅层；对沉积的第一多晶硅层进行刻蚀；对第一氧化层进行刻蚀；再次沉积第二多晶硅层以及进行CMP工艺；对第一多晶硅层以及第二多晶硅层进行刻蚀；在所述第一多晶硅层以及第二多晶硅层的顶部形成第二氧化层；移除氮化硅层；第三氧化层生长；对第三氧化层及第一氧化层进行刻蚀；淀积ONO层；淀积第三多晶硅层；对第三多晶硅层及ONO层进行刻蚀；淀积第四氧化层及第四多晶硅层；对第四氧化层以及第四多晶硅层进行刻蚀，形成SONOS存储器件。 | ||
| 搜索关键词： | sonos 存储器 工艺 方法 | ||
【主权项】：
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