[发明专利]一种中心接触的无冲击力固晶方法在审
| 申请号： | 202111010111.7 | 申请日： | 2021-08-31 |
| 公开（公告）号： | CN115732346A | 公开（公告）日： | 2023-03-03 |
| 发明（设计）人： | 卢彦豪 | 申请（专利权）人： | 梭特科技股份有限公司 |
| 主分类号： | H01L21/607 | 分类号： | H01L21/607 |
| 代理公司： | 北京银龙知识产权代理有限公司 11243 | 代理人： | 许静;曹娜 |
| 地址： | 中国台*** | 国省代码： | 台湾;71 |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | 本发明提供了一种中心接触的无冲击力固晶方法，包括下列步骤：固晶装置拾取晶粒，晶粒表面无锡球且无铜柱；固晶装置将晶粒移动至晶粒放置区一侧，基板表面无锡球且无铜柱；固晶装置通过正压吹拂晶粒中心，使得晶粒中心变形以接触晶粒放置区中心；晶粒中心在接触晶粒放置区中心后形成贴合波，贴合波从晶粒中心往晶粒的周边扩展，使得晶粒逐渐脱离固晶装置并固定于晶粒放置区上；以及晶粒完全固定于晶粒放置区上。以此，本发明通过无冲击力的正压控制晶粒中心与基板接触，力道极小，不会损及晶粒。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 中心 接触 冲击力 方法 | ||
【主权项】：
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
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