[发明专利]互连结构的形成方法在审
| 申请号： | 202111006984.0 | 申请日： | 2021-08-30 |
| 公开（公告）号： | CN113725151A | 公开（公告）日： | 2021-11-30 |
| 发明（设计）人： | 陈宏 | 申请（专利权）人： | 上海华虹宏力半导体制造有限公司 |
| 主分类号： | H01L21/768 | 分类号： | H01L21/768 |
| 代理公司： | 上海思微知识产权代理事务所(普通合伙) 31237 | 代理人： | 周耀君 |
| 地址： | 201203 上海市浦东*** | 国省代码： | 上海;31 |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | 本发明提供了一种互连结构的形成方法，包括：提供一SOI衬底，SOI包括中间区以及包围中间区的边缘区，中间区包括依次层叠的基底、埋层及硅层，边缘区仅具有基底；于硅层中形成器件层；形成隔离介质层，并于隔离介质层中形成至少一第一开口；形成层间介质层，层间介质层覆盖隔离介质层以及第一开口；形成至少一第一通孔，第一通孔贯穿层间介质层、部分第一开口以及埋层，以暴露基底；于第一通孔中形成第一互连结构。本发明中，通过在形成器件层以及形成隔离介质层之后，仅仅蚀刻隔离介质层并在隔离介质层中形成第一开口用于形成后续的第一通孔，从而极大减少对边缘区的衬底的蚀刻，进而解决边缘区内平坦度较差以及边缘区与中间区有较大台阶差的问题。 | ||
| 搜索关键词： | 互连 结构 形成 方法 | ||
【主权项】：
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
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