[发明专利]采用切割道沟槽工艺芯片的晶圆级芯片封装技术在审
| 申请号： | 202111005344.8 | 申请日： | 2021-08-30 |
| 公开（公告）号： | CN113725106A | 公开（公告）日： | 2021-11-30 |
| 发明（设计）人： | 韩国庆;吴姗姗;朱一鸣;成剑钧;曹秀亮 | 申请（专利权）人： | 上海华虹宏力半导体制造有限公司 |
| 主分类号： | H01L21/60 | 分类号： | H01L21/60;H01L21/027 |
| 代理公司： | 上海思微知识产权代理事务所(普通合伙) 31237 | 代理人： | 周耀君 |
| 地址： | 201203 上海市浦东*** | 国省代码： | 上海;31 |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | 本发明提供了一种采用切割道沟槽工艺芯片的晶圆级芯片封装技术，包括：在衬底上分别形成芯片结构、位于芯片结构周围的切割道以及位于切割道两侧的沟槽，芯片结构包括依次位于所述衬底上的金属pad和钝化层，钝化层露出部分所述金属pad；在钝化层和金属pad上形成第一介质层，第一介质层露出部分金属pad，第一介质层填充靠近芯片结构的沟槽；在第一介质层和金属pad上形成重分布层；在重分布层上形成第二介质层，第二介质层露出部分重分布层；在重分布层上形成锡球。本发明可以减少甚至杜绝重分布层在沟槽上方或附近出现金属多镀的情况发生，从而减少甚至杜绝重分布层出现外观问题或者电性问题的情况发生。 | ||
| 搜索关键词： | 采用 切割 沟槽 工艺 芯片 晶圆级 封装 技术 | ||
【主权项】：
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H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
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