[发明专利]一种SiC肖特基功率二极管及其制备方法在审
| 申请号： | 202111005103.3 | 申请日： | 2021-08-30 |
| 公开（公告）号： | CN113823698A | 公开（公告）日： | 2021-12-21 |
| 发明（设计）人： | 李鑫 | 申请（专利权）人： | 瑶芯微电子科技（上海）有限公司 |
| 主分类号： | H01L29/872 | 分类号： | H01L29/872;H01L29/06;H01L29/47;H01L29/45;H01L21/04;H01L21/329 |
| 代理公司： | 西安嘉思特知识产权代理事务所(普通合伙) 61230 | 代理人： | 刘长春 |
| 地址： | 200120 上海市浦东新区中国(上海*** | 国省代码： | 上海;31 |
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| 摘要： | 本发明公开了一种SiC肖特基功率二极管，包括N型4H‑SiC衬底、P型4H‑SiC隔离层以及厚度为4～6μm的N型4H‑SiC外延层；该外延层中部刻有倒梯形阳极凹槽和隔离槽，两端顶部向内避让形成隔离区；隔离区和隔离槽填满绝缘介质形成电流疏导结构；外延层具有N+注入区和P+注入保护区；还包括：阴极欧姆接触金属层覆盖在N+注入区上；第一钝化层在P+注入保护区上；第二钝化层在阳极凹槽底部；阳极肖特基接触金属层覆盖第一钝化层部分表面、阳极凹槽的表面以及第二钝化层的表面；第三钝化层覆盖第一钝化层的剩余表面，并向两侧金属层延伸。本发明提升了高工作电压下肖特基功率二极管的性能和良率。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 sic 肖特基 功率 二极管 及其 制备 方法 | ||
【主权项】：
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