[发明专利]室温下具有垂直磁各向异性的异质结结构及其应用在审
| 申请号： | 202111002843.1 | 申请日： | 2021-08-30 |
| 公开（公告）号： | CN113921695A | 公开（公告）日： | 2022-01-11 |
| 发明（设计）人： | 聂天晓;赵巍胜;张婕;曹凯华;王海宇;白月 | 申请（专利权）人： | 北京航空航天大学 |
| 主分类号： | H01L43/06 | 分类号： | H01L43/06;H01L43/08;H01L43/10;G06N3/04;G06N3/063;G06N3/08 |
| 代理公司： | 北京三友知识产权代理有限公司 11127 | 代理人： | 姚亮;张德斌 |
| 地址： | 100191*** | 国省代码： | 北京;11 |
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| 摘要： | 本发明提供了一种室温下具有垂直磁各向异性的异质结结构及其应用。该异质结结构包括范德华拓扑材料层以及二维磁性材料层，其中，范德华拓扑材料层的厚度为5‑20nm，二维磁性材料层的厚度为1‑10nm。本发明还提供了包含上述异质结结构的室温全范德华自旋轨道矩磁存储器、基于拓扑绝缘体的室温全范德华磁电阻器件以及实现同或逻辑运算的装置，实现位计数运算的装置、实现矩阵向量乘法运算的装置以及相应的方法。本发明的技术方案实现了室温下垂直磁各向异性的异质结构以及自旋电子原型器件的构建，制备出的异质结结构以及自旋原型器件简单，制备方法操作简便。 | ||
| 搜索关键词： | 室温 具有 垂直 各向异性 异质结 结构 及其 应用 | ||
【主权项】：
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