[发明专利]基于聚合物纳米柱阵列结构的金银合金膜SERS基底及其制备方法在审
| 申请号： | 202111002456.8 | 申请日： | 2021-08-30 |
| 公开（公告）号： | CN113715361A | 公开（公告）日： | 2021-11-30 |
| 发明（设计）人： | 成鸣飞;车文宽;方靖淮 | 申请（专利权）人： | 南通大学 |
| 主分类号： | B29C69/02 | 分类号： | B29C69/02;B29C41/12;B29C41/34;B29C59/02;C23C14/24;C23C14/20;B29L7/00 |
| 代理公司： | 南京瑞弘专利商标事务所(普通合伙) 32249 | 代理人： | 许洁 |
| 地址： | 226000*** | 国省代码： | 江苏;32 |
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| 摘要： | 本发明公开了一种基于聚合物纳米柱阵列结构的金银合金膜SERS基底的制备方法，包括如下步骤：步骤(1)、制备PC薄膜，该膜光学透明且表面无孔洞，是制备周期性PC突起阵列结构的前提；步骤(2)、进行热压印，获得具有周期性的PC纳米柱阵列；步骤(3)、进行蒸镀，获得金@PC突起阵列结构；步骤(4)、再次蒸镀，获得银金复合膜的阵列结构的SERS基底。本发明制得的纳米结构基底，具有周期性PC突起阵列结构，且经过表面复合金属化处理，能构成多热点结构，从而为电磁场增强提供了丰富的热点类型，具有SERS灵敏度好、重复性好、稳定性强且热点面积大的优点。 | ||
| 搜索关键词： | 基于 聚合物 纳米 阵列 结构 金银 合金 sers 基底 及其 制备 方法 | ||
【主权项】：
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