[发明专利]只读存储器、编码阵列生成方法、芯片及存储介质在审
| 申请号： | 202110998640.6 | 申请日： | 2021-08-27 |
| 公开（公告）号： | CN113808644A | 公开（公告）日： | 2021-12-17 |
| 发明（设计）人： | 崔岩;黄逸飞 | 申请（专利权）人： | 北京芯愿景软件技术股份有限公司 |
| 主分类号： | G11C16/04 | 分类号： | G11C16/04;G11C11/56 |
| 代理公司： | 北京东方亿思知识产权代理有限责任公司 11258 | 代理人： | 赵秀芹 |
| 地址： | 100095 北京市*** | 国省代码： | 北京;11 |
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| 摘要： | 本申请实施例提供了只读存储器、编码阵列生成方法、芯片及存储介质，只读存储器包括多个存储单元，同一行的存储单元共用一条字线，同一列的存储单元共用一条位线，每个存储单元均包括晶体管，其中：每个存储单元存储的编码值为根据晶体管的漏极与第一连接端的第一连接状态、晶体管的漏极与晶体管所在列的位线的第二连接状态、晶体管的源极与第一连接端的第三连接状态以及晶体管的源极与晶体管所在列的位线的第四连接状态确定。本申请实施例能够提高ROM内部存储信息的破解难度，降低ROM内部存储信息的泄露风险。 | ||
| 搜索关键词： | 只读存储器 编码 阵列 生成 方法 芯片 存储 介质 | ||
【主权项】：
暂无信息
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