[发明专利]只读存储器、编码阵列生成方法、芯片及存储介质

权利要求书

1.一种只读存储器，其特征在于，所述只读存储器包括多个存储单元，同一行的所述存储单元共用一条字线，同一列的所述存储单元共用一条位线，每个所述存储单元均包括晶体管，其中：

每个所述存储单元存储的编码值为根据所述晶体管的漏极与第一连接端的第一连接状态、所述晶体管的漏极与所述晶体管所在列的位线的第二连接状态、所述晶体管的源极与所述第一连接端的第三连接状态以及所述晶体管的源极与所述晶体管所在列的位线的第四连接状态确定；所述第一连接端包括接地端或者电源端。

2.根据权利要求1所述的只读存储器，其特征在于，所述存储单元包括第一存储单元，所述第一存储单元包括第一晶体管；

当所述第一晶体管的栅极与所述第一晶体管所在行的字线电连接，所述第一晶体管的漏极与所述第一连接端电连接，所述第一晶体管的源极与所述第一晶体管所在列的位线电连接时，所述第一存储单元存储的编码值为第一逻辑值；

或者，

当所述第一晶体管的栅极与所述第一晶体管所在行的字线电连接，所述第一晶体管的漏极与所述第一晶体管所在列的位线电连接，所述第一晶体管的源极与所述第一连接端电连接时，所述第一存储单元存储的编码值为所述第一逻辑值。

3.根据权利要求1或2所述的只读存储器，其特征在于，所述存储单元包括第二存储单元，所述第二存储单元包括第二晶体管；

当所述第二晶体管的栅极与所述第二晶体管所在行的字线电连接，所述第二晶体管的源极和漏极均与所述第一连接端电连接时，所述第二存储单元存储的编码值为第二逻辑值；

或者，

当所述第二晶体管的栅极与所述第二晶体管所在行的字线电连接，所述第二晶体管的源极和漏极均与所述第二晶体管所在列的位线电连接时，所述第二存储单元存储的编码值为所述第二逻辑值。

4.一种编码阵列生成方法，其特征在于，所述方法应用于权利要求1-3中任一项所述的只读存储器，所述方法包括：

获取目标程序代码；

基于预设的逻辑转换关系，将所述目标程序代码转换为对应的编码阵列，所述编码阵列包括多个由多个子编码值组成的编码组，每个所述编码组对应一个所述存储单元，所述编码组中的每个所述子编码值对应所述第一连接状态、所述第二连接状态、所述第三连接状态和所述第四连接状态中的一个。

5.根据权利要求4所述的方法，其特征在于，所述逻辑转换关系包括程序代码与所述编码组的对应关系；

所述基于预设的逻辑转换关系，将所述目标程序代码转换为对应的编码阵列，具体包括：

基于所述程序代码与所述编码组的对应关系，将所述目标程序代码转换为对应的编码阵列。

6.根据权利要求4所述的方法，其特征在于，所述逻辑转换关系包括第一逻辑转换关系和第二逻辑转换关系，所述第一逻辑转换关系包括程序代码与所述编码值的对应关系，所述第二逻辑转换关系包括所述编码值与所述编码组的对应关系；

所述基于预设的逻辑转换关系，将所述目标程序代码转换为对应的编码阵列，具体包括：

基于所述第一逻辑转换关系，将所述目标程序代码转换为包含多个所述编码值的编码序列；

基于所述第二逻辑转换关系，将所述编码序列转换为所述编码阵列。

7.根据权利要求4所述的方法，其特征在于，在所述基于预设的逻辑转换关系，将所述目标程序代码转换为对应的编码阵列之后，所述方法还包括：

基于所述编码阵列中的每个所述编码组，调整每个所述编码组对应的所述存储单元的连接状态，使得调整后的每个所述编码组对应的所述存储单元的连接状态与每个所述编码组对应的目标连接状态一一对应，

所述连接状态包括所述第一连接状态、所述第二连接状态、所述第三连接状态和所述第四连接状态。