[发明专利]基于深度优先搜索的全芯片光源掩模优化关键图形筛选方法在审
| 申请号： | 202110995719.3 | 申请日： | 2021-08-27 |
| 公开（公告）号： | CN113741140A | 公开（公告）日： | 2021-12-03 |
| 发明（设计）人： | 杨欣华;李思坤;廖陆峰;王向朝 | 申请（专利权）人： | 中国科学院上海光学精密机械研究所 |
| 主分类号： | G03F1/36 | 分类号： | G03F1/36;G06K9/62 |
| 代理公司： | 上海恒慧知识产权代理事务所(特殊普通合伙) 31317 | 代理人： | 张宁展 |
| 地址： | 201800 *** | 国省代码： | 上海;31 |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | 一种基于深度优先搜索的全芯片光源掩模优化关键图形筛选方法。所述方法利用主要频率的边界和增长因子表征掩模图形的主要频率特征，并基于频率覆盖规则实现主要频率的聚类，以获得所有关键图形组合为原则设计了关键图形筛选方法，实现了全芯片光源掩模优化关键图形筛选。本发明通过深度优先搜索算法获得所有能够覆盖全部主频率分组的关键图形组合，利用本发明的筛选结果进行全芯片光源掩模优化获得的工艺窗口更大。 | ||
| 搜索关键词： | 基于 深度 优先 搜索 芯片 光源 优化 关键 图形 筛选 方法 | ||
【主权项】：
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G03 摄影术；电影术；利用了光波以外其他波的类似技术；电记录术；全息摄影术
G03F 图纹面的照相制版工艺，例如，印刷工艺、半导体器件的加工工艺；其所用材料；其所用原版；其所用专用设备
G03F1-00 用于图纹面的照相制版的原版，例如掩膜，光掩膜；其所用空白掩膜或其所用薄膜；其专门适用于此的容器；其制备
G03F1-20 .用于通过带电粒子束(CPB)辐照成像的掩膜或空白掩膜，例如通过电子束；其制备
G03F1-22 .用于通过100nm或更短波长辐照成像的掩膜或空白掩膜，例如 X射线掩膜、深紫外
G03F1-26 .相移掩膜[PSM]；PSM空白；其制备
G03F1-36 .具有临近校正特征的掩膜；其制备，例如光学临近校正(OPC)设计工艺
G03F1-38 .具有辅助特征的掩膜，例如用于校准或测试的特殊涂层或标记；其制备
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