[发明专利]一种新型低电流输出晶硅电池结构在审
申请号: | 202110993209.2 | 申请日: | 2021-08-26 |
公开(公告)号: | CN113725305A | 公开(公告)日: | 2021-11-30 |
发明(设计)人: | 杨飞飞;张波;鲁贵林;赵科巍;张云鹏;李雪方;郭丽;申开愉;杨旭彪;梁玲 | 申请(专利权)人: | 山西潞安太阳能科技有限责任公司 |
主分类号: | H01L31/0224 | 分类号: | H01L31/0224;H01L31/042 |
代理公司: | 太原市科瑞达专利代理有限公司 14101 | 代理人: | 李富元 |
地址: | 046000 山*** | 国省代码: | 山西;14 |
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摘要: | 本发明涉及太阳能电池生产领域。一种新型低电流输出晶硅电池结构,单块的太阳能电池板的正面激光图形和/或背面激光图形被分割成多个独立区块,每个独立区块都存在独立的主栅线和副栅线,每个独立区块构成一个独立的子晶硅电池结构,单块的太阳能电池板晶硅电池结构由所有子晶硅电池结构并列构成。本发明单块的太阳能电池板内部进行分区,实现区域单独发电,从而实现单片电池片更低电流的输出,合理控制电流输出的大小,发电效率高。 | ||
搜索关键词: | 一种 新型 电流 输出 电池 结构 | ||
【主权项】:
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L31-00 对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射,或微粒辐射敏感的,并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的,或者专门适用于通过这样的辐射进行电能控制的半导体器件;专门适用于制造或处理这些半导体器件或其部件的方法或
H01L31-02 .零部件
H01L31-0248 .以其半导体本体为特征的
H01L31-04 .用作转换器件的
H01L31-08 .其中的辐射控制通过该器件的电流的,例如光敏电阻器
H01L31-12 .与如在一个共用衬底内或其上形成的,一个或多个电光源,如场致发光光源在结构上相连的,并与其电光源在电气上或光学上相耦合的
H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L31-00 对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射,或微粒辐射敏感的,并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的,或者专门适用于通过这样的辐射进行电能控制的半导体器件;专门适用于制造或处理这些半导体器件或其部件的方法或
H01L31-02 .零部件
H01L31-0248 .以其半导体本体为特征的
H01L31-04 .用作转换器件的
H01L31-08 .其中的辐射控制通过该器件的电流的,例如光敏电阻器
H01L31-12 .与如在一个共用衬底内或其上形成的,一个或多个电光源,如场致发光光源在结构上相连的,并与其电光源在电气上或光学上相耦合的