[发明专利]一种铸造原位生长石墨烯增强铜复合材料的制备方法在审
| 申请号： | 202110990043.9 | 申请日： | 2021-08-26 |
| 公开（公告）号： | CN113699405A | 公开（公告）日： | 2021-11-26 |
| 发明（设计）人： | 王飞;郑志强;黄平 | 申请（专利权）人： | 西安交通大学 |
| 主分类号： | C22C1/10 | 分类号： | C22C1/10;C22C1/02;B22F1/00;B22F1/02;C22C9/00;C23C16/02;C23C16/26;C23C16/44;C23C16/505 |
| 代理公司： | 西安通大专利代理有限责任公司 61200 | 代理人： | 王艾华 |
| 地址： | 710049 *** | 国省代码： | 陕西;61 |
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| 摘要： | 本发明公开了一种铸造原位生长石墨烯增强铜基复合材料的制备方法，包括：(1)对铜粉表面进行还原处理；(2)石墨烯的原位生长：以甲烷气体作为碳源，采用射频等离子体增强化学气相沉积方法在铜粉表面原位生长石墨烯，得到石墨烯‑铜复合材料粉末；(3)采用熔炼方法，对石墨烯‑铜复合材料粉末进行熔炼，冷却得到铸件。本发明通过结合原位生长与铸造的方法，有效解决了石墨烯在铜基体中的分散性差问题，具有制造成本低，工艺灵活性大，可以获得复杂形状和大型的铸件的优点。此外，制备的石墨烯铜基复合材料相较于纯铜，其力学性能有显著提升。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 铸造 原位 生长 石墨 增强 复合材料 制备 方法 | ||
【主权项】：
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