[发明专利]单晶PERC电池及其扩散方法

摘要

本发明公开了单晶PERC电池及其扩散方法，包括如下步骤：S1：第一次预沉积，通入携带三氯氧磷的氮气和氧气进行第一次预沉积，流量为1001‑1200sccm，氧气流量为500‑700sccm，时间为200‑450s，温度750℃‑800℃；S2：温度升至800℃‑900℃，通入携带三氯氧磷的氮气和氧气，携带三氯氧磷的氮气流量为400‑600sccm，氧气流量为80‑600sccm；时间为500‑800s；S4：炉内进行降温处理；本发明提供的单晶PERC电池及其扩散方法，通过在第一次预沉积的步骤中增加三氯氧磷的通入量，即在规定的时间内能够提高扩散表面浓度，加厚硅片表面的磷硅玻璃，从而对硅片内部PN结起到一定的保护作用，可消除PN结表面的皮带印，有效的保护硅片内部的PN结，提高单晶PERC电池的生产质量。