[发明专利]一种高熵氧化物扩散障薄膜及其制备工艺和应用有效
| 申请号： | 202110988380.4 | 申请日： | 2021-08-26 |
| 公开（公告）号： | CN113699485B | 公开（公告）日： | 2023-08-22 |
| 发明（设计）人： | 刘贺;秦海宁;张伟强;张丽;李岩;范俊宏;谷旭龙 | 申请（专利权）人： | 沈阳理工大学 |
| 主分类号： | C23C14/08 | 分类号： | C23C14/08;C23C14/35;C23C14/54;C23C28/00;C23C4/02;C23C4/08;C23C4/134 |
| 代理公司： | 大连东方专利代理有限责任公司 21212 | 代理人： | 房艳萍;李馨 |
| 地址： | 110159 辽*** | 国省代码： | 辽宁;21 |
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| 摘要： | 本发明公开了高熵氧化物扩散障薄膜及其制备工艺和应用，涉及涂层制备技术领域。该高熵氧化物扩散障薄膜应用在NiW或NiRe合金与NiCr或NiCrAl涂层之间，采用磁控溅射的方式进行制备，其中薄膜包含的元素为Ni、Co、Cr、Y、Ta或Re和O。在高真空热处理的过程中，利用高熵扩散障薄膜的缓慢扩散作用，能够有效缓解基体与涂层之间的元素互扩散，同时减少基体中有害相析出。该高熵氧化物扩散障薄膜可以应用在航空发动机或燃气轮机领域，为提升部件服役寿命提供理论和技术支持。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 氧化物 扩散 薄膜 及其 制备 工艺 应用 | ||
【主权项】：
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