[发明专利]一种高熵氧化物扩散障薄膜及其制备工艺和应用

权利要求书

1.一种高熵氧化物扩散障薄膜，其特征在于，所述高熵氧化物扩散障薄膜的元素包括Co、Cr、Ni、Ta和O，原子百分比分别为Co 10％-15％、Cr 10％-15％、Ni 20％-25％、Y 0-2％、Ta或Re 10％-15％、和O 40％-50％；

所述高熵氧化物扩散障薄膜的制备方法，包括如下步骤：

(1)将Co、Cr、Ni、Y制备成CoCrNi或CoCrNiY0.1靶材；将Ni和Ta或Re制备成NiTa或NiRe靶材；

(2)采用多靶磁控溅射的方式在基体面形成所述高熵氧化物扩散障薄膜；

其中，所述CoCrNi、CoCrNiY0.1、NiTa、NiRe靶材是通过粉末冶金的方式进行制备；

采用多靶磁控溅射的方式形成所述高熵氧化物扩散障薄膜时，是在衬底真空度小于3×10^-3Pa、基体温度150-350℃的条件下进行；

CoCrNi或CoCrNiY0.1靶材采用直流电源、功率为40-80W，NiTa或NiRe靶材采用脉冲电源、功率为60-150W，基体直流偏压为-150V～0V、工作气压为0.25-0.5Pa、氩气流量10-30sccm、氧气浓度占氩气的比为1-30％。

2.根据权利要求1所述的高熵氧化物扩散障薄膜，其特征在于，所述高熵氧化物扩散障薄膜的厚度为1-6μm。

3.根据权利要求1所述的高熵氧化物扩散障薄膜，其特征在于，所述基体为NiW合金或NiRe合金。

4.一种阻扩散涂层材料，其特征在于，包括基体、高熵氧化物扩散障薄膜、高温防护涂层，所述高熵氧化物扩散障薄膜介于基体和高温防护涂层之间，所述高熵氧化物扩散障薄膜为权利要求1或2所述的高熵氧化物扩散障薄膜；所述高温防护涂层为NiCr涂层或NiCrAl涂层。

5.根据权利要求4所述阻扩散涂层材料，其特征在于，在高熵氧化物扩散障薄膜的表面涂覆所述高温防护涂层。

6.根据权利要求5所述阻扩散涂层材料，其特征在于，涂覆所述高温防护涂层的方法选自磁控溅射、电弧离子镀、火焰喷涂、冷喷涂、等离子喷涂中的至少一种。

7.根据权利要求6所述阻扩散涂层材料，其特征在于，所述等离子喷涂为大气等离子喷涂。