[发明专利]闪存阵列的擦除方法在审
| 申请号： | 202110987921.1 | 申请日： | 2021-08-26 |
| 公开（公告）号： | CN113707205A | 公开（公告）日： | 2021-11-26 |
| 发明（设计）人： | 蒋家勇;石振东 | 申请（专利权）人： | 北京磐芯微电子科技有限公司 |
| 主分类号： | G11C16/16 | 分类号： | G11C16/16;G11C16/34;G11C16/04 |
| 代理公司： | 北京允天律师事务所 11697 | 代理人： | 李建航 |
| 地址： | 100086 北京市海*** | 国省代码： | 北京;11 |
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| 摘要： | 本公开提供了一种闪存阵列的擦除方法。该闪存阵列包括：多个闪存单元，沿行方向和列方向排列；多个字线组，沿行方向延伸；以及多个位线组，沿列方向延伸；在字线组和位线组的交点处设置有闪存单元对，其包括在行方向上相邻的共享同一个位线组的第一闪存单元和第二闪存单元。根据本公开的擦除方法包括将各擦除电压施加到被选中的闪存单元的第一和第二电极以及晶体管的栅电极，其中施加到与被擦除的存储晶体管连接的电极的擦除电压高于衬底与存储晶体管的栅介质叠层之间的界面处的空穴势垒高度。本公开的闪存阵列的擦除方法能够改善阈值电压窗口并且提高存储可靠性，同时还具有操作功耗低和擦除速度快的优点。 | ||
| 搜索关键词： | 闪存 阵列 擦除 方法 | ||
【主权项】：
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