[发明专利]用于有机光电器件的透明顶电极复合薄膜材料及制备方法

摘要

本发明公开一种用于有机光电器件的透明顶电极复合薄膜材料及制备方法，涉及有机半导体光电器件技术领域。本发明的透明顶电极复合薄膜材料包括衬底、和设于衬底上的MoOx薄膜层、掺杂Ag基薄膜层、HfOx薄膜层。本发明还提供一种用于有机光电器件的透明顶电极复合薄膜材料的制备方法，所述方法均采用真空低温制备工艺。本发明方法的透明顶电极复合薄膜材料制备工艺能与有机光电器件兼容。所制备的透明顶电极复合薄膜材料在可见‑近红外区域的平均透过率高达77％，且具有良好的导电性，其方阻小于20Ω/□。依据本发明方法制备的透明顶电极复合薄膜材料及其制备工艺方法适于制备高性能的有机阵列化光电器件。