[发明专利]一种磁共振成像兼容的导电薄膜合金材料及其制备方法有效
| 申请号： | 202110984314.X | 申请日： | 2021-08-25 |
| 公开（公告）号： | CN113827781B | 公开（公告）日： | 2022-12-20 |
| 发明（设计）人： | 康晓洋;张圆;乐松;王爱萍;张静 | 申请（专利权）人： | 复旦大学 |
| 主分类号： | A61L31/02 | 分类号： | A61L31/02;A61L31/14;A61K50/00;A61K49/18;C23C14/16;C23C14/35 |
| 代理公司： | 上海正旦专利代理有限公司 31200 | 代理人： | 王洁平 |
| 地址： | 200433 *** | 国省代码： | 上海;31 |
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| 摘要： | 本发明公开了一种磁共振成像兼容的导电薄膜合金材料及其制备方法。本发明的导电薄膜合金材料是面向植入式医疗器械、神经接口或脑机接口应用，以一种顺磁性物质和一种抗磁性物质为共溅射材料，通过磁控共溅射镀膜的微纳加工技术制备得到的薄膜合金材料。本发明利用磁控共溅射镀膜的方法，分别优化设定了顺磁性物质‑抗磁性物质的溅射电流强度、功率等参数以及特定的成膜气压来制备合金材料。从而确定了可应用于植入器械的导电薄膜合金材料的磁控溅射制备条件，使其具有较好的导电与电化学性质，并且在磁共振成像中不会造成影响观测植入部位的成像伪影，具有良好的磁共振成像兼容性。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 磁共振 成像 兼容 导电 薄膜 合金材料 及其 制备 方法 | ||
【主权项】：
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