[发明专利]一种磁共振成像兼容的导电薄膜合金材料及其制备方法

权利要求书

1.一种磁共振成像兼容的导电薄膜合金材料，其特征在于，其是面向植入式医疗器械、神经接口或脑机接口应用，以一种顺磁性物质和一种抗磁性物质为共溅射材料，通过磁控共溅射镀膜的微纳加工技术制备得到的金-铂薄膜合金材料，顺磁性物质为铂，抗磁性物质为金，金-铂薄膜合金材料的体积磁化率为-29~11 ppm。

2.根据权利要求1所述的导电薄膜合金材料，其特征在于，金-铂薄膜合金材料中，金和铂在合金中的质量比例为3:7-9:4。

3.根据权利要求1所述的导电薄膜合金材料，其特征在于，金-铂薄膜合金材料的厚度为15-500nm。

4.一种根据权利要求1-3之一所述的导电薄膜合金材料的制备方法，其特征在于，具体步骤如下：

（1）在磁控溅射直流或射频靶位上固定顺磁性物质和抗磁性物质的靶材；把需要进行导电薄膜镀层的植入式器械、神经接口与脑机接口的表面暴露，并放入到溅射腔室，将溅射腔室抽真空；

（2）通入氩气，控制氩气压力稳定；

（3）分别调节顺磁性物质和抗磁性物质的溅射电流强度、电压、入射功率和反射功率参数，使氩气电离、起辉，待溅射参数稳定后，打开挡板，开始磁控溅射的过程；

（4）关闭溅射电源，结束磁控溅射过程；其中：

步骤（1）中，将溅射腔室真空抽至5×10^-4帕斯卡以下；步骤（2）中，通入氩气的流量控制在10-25cm³/min的范围内，氩气的压力控制在0.05-0.5帕斯卡之间；步骤（3）中，磁控溅射过程中，抗磁性物质和顺磁性物质的入射溅射功率比为1:5-1:0.1，反射功率小于相应入射功率的10%，样品台旋转速度为5-10转/min，样品台温度范围为10-60℃；其中：

顺磁性物质为铂，抗磁性物质为金。

5.根据权利要求4所述的制备方法，其特征在于，步骤（3）中，薄膜溅射速率为15-80nm/min。

6.一种具有如权利要求1-3之一所述的导电薄膜合金材料镀层的植入式医疗器械、神经接口或脑机接口。