[发明专利]基于栅源漏一体化沉积的氮化镓器件及其制作方法在审
| 申请号： | 202110982639.4 | 申请日： | 2021-08-25 |
| 公开（公告）号： | CN113809169A | 公开（公告）日： | 2021-12-17 |
| 发明（设计）人： | 马晓华;司泽艳;芦浩;侯斌;杨凌;鲁微;武玫;郝跃 | 申请（专利权）人： | 西安电子科技大学 |
| 主分类号： | H01L29/778 | 分类号： | H01L29/778;H01L21/285;H01L21/335 |
| 代理公司： | 西安嘉思特知识产权代理事务所(普通合伙) 61230 | 代理人： | 刘长春 |
| 地址： | 710000 陕*** | 国省代码： | 陕西;61 |
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| 摘要： | 本发明公开了一种基于栅源漏一体化沉积的氮化镓器件，氮化镓器件包括：衬底、AlN成核层、GaN缓冲层、AlGaN势垒层、以及位于AlGaN势垒层远离衬底一侧的SiN钝化层、源电极、漏电极和栅电极；AlGaN势垒层的第一表面包括两个图形区，每个图形区包括多个阵列排布的第一开孔，源、漏电极相对设置于第一表面的两侧，且沿垂直于衬底所在平面的方向，漏电极的正投影与源电极的正投影分别覆盖两个图形区；SiN钝化层位于源电极和漏电极之间，SiN钝化层包括第二开孔，至少部分栅电极位于第二开孔内。本发明采用一体化沉积的设计方式制作氮化镓器件，能够避免源漏金属高温退火工艺，抑制金属外扩，并实现亚微米级源漏欧姆接触。 | ||
| 搜索关键词： | 基于 栅源漏 一体化 沉积 氮化 器件 及其 制作方法 | ||
【主权项】：
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