[发明专利]金纳米双锥阵列基底及其制备方法和应用在审

专利信息
申请号: 202110962360.X 申请日: 2021-08-20
公开(公告)号: CN113777034A 公开(公告)日: 2021-12-10
发明(设计)人: 姚媛媛;郭隆华;王悦靓;陈丽芬;林露;林丙永 申请(专利权)人: 嘉兴学院
主分类号: G01N21/01 分类号: G01N21/01;G01N21/65
代理公司: 杭州合信专利代理事务所(普通合伙) 33337 代理人: 沈自军
地址: 314001 *** 国省代码: 浙江;33
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摘要: 发明公开了一种金纳米双锥阵列基底及其制备方法和应用,所述金纳米双锥阵列基底包括基片以及装载于所述基片表面、由金纳米双锥组装形成的薄膜,所述金纳米双锥的表面修饰有亲水性配体和疏水性配体。所述金纳米双锥阵列基底的拉曼信号强,对环丙沙星的选择性高,可检测待测样品中痕量的环丙沙星,应用前景好。
搜索关键词: 纳米 阵列 基底 及其 制备 方法 应用
【主权项】:
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