[发明专利]金纳米双锥阵列基底及其制备方法和应用

权利要求书

1.金纳米双锥阵列基底，包括基片以及装载于所述基片表面、由金纳米双锥组装形成的薄膜，其特征在于，所述金纳米双锥的表面修饰有亲水性配体和疏水性配体。

2.根据权利要求1所述的金纳米双锥阵列基底，其特征在于，所述金纳米双锥的直径为17～23nm，长经比为4～5。

3.根据权利要求1所述的金纳米双锥阵列基底，其特征在于，所述亲水性配体为聚乙二醇甲醚巯基、聚乙烯吡咯烷酮中的至少一种；所述疏水性配体为十六烷硫醇、聚苯乙烯、十二烷硫醇中的至少一种。

4.根据权利要求1所述的金纳米双锥阵列基底，其特征在于，表面修饰有亲水性配体和疏水性配体的金纳米双锥的电位为10～20mV。

5.根据权利要求1所述的金纳米双锥阵列基底，其特征在于，所述基片为硅片、铜网、聚二甲基硅氧烷基片中的一种。

6.根据权利要求1所述的金纳米双锥阵列基底的制备方法，其特征在于，包括以下步骤：

利用亲水性配体和疏水性配体对金纳米双锥进行表面修饰；

将修饰后金纳米双锥的水溶液与油相混合，自组装形成金纳米双锥薄膜；

将所述金纳米双锥薄膜装载在基片上，得到所述金纳米双锥阵列基底。

7.根据权利要求6所述的金纳米双锥阵列基底的制备方法，其特征在于，所述金纳米双锥、亲水性配体和疏水性配体三者的摩尔比为1：10⁴～10⁶：10⁴～10⁶。

8.根据权利要求6所述的金纳米双锥阵列基底的制备方法，其特征在于，通过配体交换实现表面修饰，所述配体交换时间为6～10h。

9.根据权利要求6所述的金纳米双锥阵列基底的制备方法，其特征在于，所述油相为正癸烷、环己烷、碳酸二甲酯和1H,1H,2H,2H-全氟十二烷硫醇中的一种。

10.根据权利要求1～9任一所述的金纳米双锥阵列基底在检测环丙沙星中的应用。