[发明专利]压致势垒变化式氮化镓压力传感器及其制备方法有效
| 申请号： | 202110960366.3 | 申请日： | 2021-08-20 |
| 公开（公告）号： | CN113686468B | 公开（公告）日： | 2022-12-09 |
| 发明（设计）人： | 刘泽文;孙剑文 | 申请（专利权）人： | 清华大学 |
| 主分类号： | G01L1/16 | 分类号： | G01L1/16 |
| 代理公司： | 北京清亦华知识产权代理事务所(普通合伙) 11201 | 代理人： | 赵丽婷 |
| 地址： | 10008*** | 国省代码： | 北京;11 |
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| 摘要： | 本发明公开了压致势垒变化式氮化镓压力传感器及其制备方法。该压致势垒变化式氮化镓压力传感器包括：第一衬底和外延结构，外延结构包括依次形成在第一衬底上的GaN缓冲层、GaN沟道层、AlN插入层、AlGaN势垒层、GaN帽层；其中，AlGaN势垒层具有第一凹槽，第一凹槽内形成有欧姆接触层，欧姆接触层与AlN插入层和GaN沟道层界面处的二维电子气连通形成下电极；GaN帽层的至少部分上表面形成有上电极；以及钝化层，钝化层覆盖外延结构的至少部分上表面。该压致势垒变化式氮化镓压力传感器可以在无外接驱动电压的情况下，直接根据上电极、下电极间电势差测量得到外部压力的变化，即在无外接驱动电压下实现对外部压力变化的零功耗检测。 | ||
| 搜索关键词： | 压致势垒 变化 氮化 压力传感器 及其 制备 方法 | ||
【主权项】：
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