[发明专利]一种Ga系MAX相磁性材料及其制备方法和应用

摘要

本发明属于纳米新材料技术领域，本发明提供了一种Ga系MAX相磁性材料及其制备方法和应用，所述Ga系MAX相磁性材料的分子式表示为M2(Ga1‑xZx)2X，M为Mo、Ti、Nb、Ta、V、Cr元素中的任意一种，Z为磁性金属元素，0x1，X为C、N的任意一种或组合；所述Ga系MAX相磁性材料具有双Ga层分隔MX层的层状结构。本发明提供的MAX相磁性材料的相结构稳定，具有较好的磁学性能，在电化学催化、储能、吸波或自旋电子器件中具有潜在应用价值。所述Ga系MAX相磁性材料的制备方法以M2Ga2CMAX为原料，通过磁性元素与MAX层间的Ga元素置换反应获得该Ga系磁性材料，方法简单、可调控。