[发明专利]一种二维硒化钨纳米材料及其制备方法有效
| 申请号： | 202110954246.2 | 申请日： | 2021-08-19 |
| 公开（公告）号： | CN113501505B | 公开（公告）日： | 2022-06-28 |
| 发明（设计）人： | 张威;李玉宝;谷治纬;肖静超 | 申请（专利权）人： | 河北大学 |
| 主分类号： | C01B19/04 | 分类号： | C01B19/04;B82Y40/00 |
| 代理公司： | 石家庄国域专利商标事务所有限公司 13112 | 代理人： | 张莉静 |
| 地址： | 071002 *** | 国省代码： | 河北;13 |
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| 摘要： | 本发明提供了一种二维硒化钨纳米材料及其制备方法，制备方法包括：（a）将基底依次在丙酮、异丙醇、无水乙醇、去离子水中进行超声清洗，取出后用氮气吹干备用；（b）将基底与钨源分别装入样品台的插槽中；所述钨源为经氧化处理的钨箔；（c）将硒粉装入小石英管中，然后将小石英管和样品台一起放入大石英管中，对大石英管抽真空，并进行封管；（d）将大石英管放入管式炉中，然后高温生长10‑60min，即得所述材料。本发明无需通入任何载气，生长完全在高真空环境下进行，工艺可控性和重复性强；同时通过设备放大，本发明可实现大尺寸高产量二维纳米片的制备，适用于大规模工业化生产。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 二维 硒化钨 纳米 材料 及其 制备 方法 | ||
【主权项】：
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