[发明专利]一种二维硒化钨纳米材料及其制备方法

权利要求书

1.一种二维硒化钨纳米材料的制备方法，其特征在于，包括以下步骤：

（a）将基底依次在丙酮、异丙醇、无水乙醇、去离子水中进行超声清洗，取出后用氮气吹干备用；

（b）将基底与钨源分别装入样品台的插槽中；所述钨源为经氧化处理的钨箔；

（c）将硒粉装入小石英管中，所述小石英管的内径为14-18mm，长度为25-35mm，小石英管一端开口，另一端封闭，然后将小石英管和步骤（b）的样品台一起放入大石英管中，利用分子泵组对大石英管抽真空，并进行封管；

（d）将步骤（c）的大石英管放入管式炉中，然后升温至750-850 ℃，并保温生长10-60分钟，即得到所述二维硒化钨纳米材料。

2.根据权利要求1所述的二维硒化钨纳米材料的制备方法，其特征在于，步骤（a）中，所述基底为氧化硅片、云母片或石英片中的一种。

3.根据权利要求1所述的二维硒化钨纳米材料的制备方法，其特征在于，步骤（b）中，将钨箔用石英坩埚装好放入管式炉中，在空气中，800-900℃氧化10-30分钟，得到钨的氧化物，作为后期生长的钨源。

4.根据权利要求3所述的二维硒化钨纳米材料的制备方法，其特征在于，步骤（b）中，所述钨箔的厚度为0.1-0.2 mm，纯度为99.95%。

5.根据权利要求3所述的二维硒化钨纳米材料的制备方法，其特征在于，步骤（b）中，所述钨的氧化物的主要成分为WO_2.9。

6.根据权利要求1所述的二维硒化钨纳米材料的制备方法，其特征在于，步骤（b）中，所述钨源和基底之间的距离为0-12 mm。

7.根据权利要求1所述的二维硒化钨纳米材料的制备方法，其特征在于，步骤（c）中，所述大石英管的内径为19-25 mm，长度为200-300mm；其封管的真空度优于5×10^-4 Pa。

8.根据权利要求1所述的二维硒化钨纳米材料的制备方法，其特征在于，步骤（c）中，所述硒粉纯度为 99.99%，硒粉的质量为0.3-0.5 g，硒粉与钨箔的质量比为1:1-1.7。

9.根据权利要求1所述的二维硒化钨纳米材料的制备方法，其特征在于，步骤（d）中，所述升温速率为5-10℃/min。

10.一种二维硒化钨纳米材料，其特征在于，其通过权利要求1-9任一方法制备而成。