[发明专利]一种多晶硅边角料提纯至高纯硅的方法有效
申请号: | 202110952868.1 | 申请日: | 2021-08-19 |
公开(公告)号: | CN113603094B | 公开(公告)日: | 2023-03-03 |
发明(设计)人: | 邢鹏飞;郭晓琳;王艺澄;钱军;吴明山;吴纪清;张照阳 | 申请(专利权)人: | 江苏美科太阳能科技股份有限公司;东北大学 |
主分类号: | C01B33/037 | 分类号: | C01B33/037 |
代理公司: | 南京利丰知识产权代理事务所(特殊普通合伙) 32256 | 代理人: | 任立 |
地址: | 212200 江苏省*** | 国省代码: | 江苏;32 |
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摘要: | 本发明公开了一种多晶硅边角料提纯至高纯硅的方法,包括以下步骤:(1)将晶体硅铸锭工序中产生的多晶硅边角料预处理,最后水洗烘干,预处理具体为切割成块,然后浸泡于有机溶剂中;(2)将烘干的原料置于聚四氟乙烯烧杯中,加入无机酸混合溶液进行酸洗处理;(3)将水浴锅或超声清洗仪中加入水,将装有无机酸混合溶液和原料的烧杯放入到水浴锅或超声清洗仪内进行提纯,然后固液分离,再进行水洗烘干得到高品质硅;(4)烘干后的高品质硅在真空度≤10‑2Pa,冷却速率≤2 mm/min的条件下,于1500‑1650℃进行定向凝固,得到太阳能级高纯硅;该方法简单易行,无尘化处理,有效地去多晶硅边角料的有机物、无机物杂质,提高硅的纯度,降低生产成本,节约能源。 | ||
搜索关键词: | 一种 多晶 边角料 提纯 至高 方法 | ||
【主权项】:
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