[发明专利]一种基于可控离子再分布的钙钛矿薄膜同质结微纳PN结加工方法在审
| 申请号： | 202110951853.3 | 申请日： | 2021-08-18 |
| 公开（公告）号： | CN113690374A | 公开（公告）日： | 2021-11-23 |
| 发明（设计）人： | 陈小青;程健功;张逍博;严辉;张永哲 | 申请（专利权）人： | 北京工业大学 |
| 主分类号： | H01L51/48 | 分类号： | H01L51/48;H01L51/44;H01L51/56;H01L51/52 |
| 代理公司： | 北京思海天达知识产权代理有限公司 11203 | 代理人： | 张立改 |
| 地址： | 100124 *** | 国省代码： | 北京;11 |
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| 摘要： | 一种基于可控离子再分布的钙钛矿薄膜同质结微纳PN结加工方法，涉及光电器件的微纳加工领域。其步骤是：1)制备均匀的钙钛矿薄膜并放置两个电极；2)通过对钙钛矿薄膜的高电压偏置，形成薄膜局部内可移动离子(如碘离子、MA离子等)的特定浓度分布；3)通过第1步中的电极向薄膜施加电压，驱动第2步中游离离子空间重排，改变钙钛矿薄膜在不同位置的成分和费米能级，使其符合微纳PN结的要求；4)通过对薄膜进行特定处理抑制薄膜局部内可移动离子的迁移，从而实现在低电压下稳定工作的钙钛矿薄膜同质结微纳PN结。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 基于 可控 离子 再分 钙钛矿 薄膜 同质 结微纳 pn 加工 方法 | ||
【主权项】：
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H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L51-00 使用有机材料作有源部分或使用有机材料与其他材料的组合作有源部分的固态器件；专门适用于制造或处理这些器件或其部件的工艺方法或设备
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H01L51-42 .专门适用于感应红外线辐射、光、较短波长的电磁辐射或微粒辐射；专门适用于将这些辐射能转换为电能，或者适用于通过这样的辐射进行电能的控制
H01L51-50 .专门适用于光发射的，如有机发光二极管
H01L51-52 ..器件的零部件
H01L51-54 .. 材料选择
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