[发明专利]一种掩膜版的上版装置有效
| 申请号: | 202110947574.X | 申请日: | 2021-08-18 | 
| 公开(公告)号: | CN113805430B | 公开(公告)日: | 2023-05-09 | 
| 发明(设计)人: | 张伟明;谭超华;李胜 | 申请(专利权)人: | 合肥清溢光电有限公司 | 
| 主分类号: | G03F1/68 | 分类号: | G03F1/68 | 
| 代理公司: | 合肥律众知识产权代理有限公司 34147 | 代理人: | 殷娟 | 
| 地址: | 230000 安徽省合*** | 国省代码: | 安徽;34 | 
| 权利要求书: | 查看更多 | 说明书: | 查看更多 | 
| 摘要: | 本发明公开了一种掩膜版的上版装置,包括一呈倾斜状的支撑主体,支撑主体上设置有下支撑组件、左支撑组件和右支撑组件,下支撑组件、左支撑组件和右支撑组件形成一倾斜支撑面,掩膜板置于倾斜支撑面上且掩膜板中心与倾斜支撑面的中心重合,实现对掩膜板支撑;本发明的上版装置,应用于采用六轴机器人进行自动化运输的掩膜版生产线中,通过本上版装置将掩膜版安装固定的姿态放置在固定的位置,避免了光刻机自带的load或AGV进行上版时的复杂的定位操作与控制,以低成本的方法和装置实现不同尺寸掩膜版高精度上版的功能,确保掩膜版生产的定位精度,减少光刻机对掩膜版的定位调整时间,提高掩膜版的生产效率和产品品质。 | ||
| 搜索关键词: | 一种 掩膜版 装置 | ||
【主权项】:
                暂无信息
            
                    下载完整专利技术内容需要扣除积分,VIP会员可以免费下载。
                
                
            该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息,商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于合肥清溢光电有限公司,未经合肥清溢光电有限公司许可,擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作,请联系【客服】
本文链接:http://www.vipzhuanli.com/patent/202110947574.X/,转载请声明来源钻瓜专利网。
- 同类专利
 
- 专利分类
 
                    G03 摄影术;电影术;利用了光波以外其他波的类似技术;电记录术;全息摄影术
G03F 图纹面的照相制版工艺,例如,印刷工艺、半导体器件的加工工艺;其所用材料;其所用原版;其所用专用设备
G03F1-00 用于图纹面的照相制版的原版,例如掩膜,光掩膜;其所用空白掩膜或其所用薄膜;其专门适用于此的容器;其制备
G03F1-20 .用于通过带电粒子束(CPB)辐照成像的掩膜或空白掩膜,例如通过电子束;其制备
G03F1-22 .用于通过100nm或更短波长辐照成像的掩膜或空白掩膜,例如 X射线掩膜、深紫外
G03F1-26 .相移掩膜[PSM];PSM空白;其制备
G03F1-36 .具有临近校正特征的掩膜;其制备,例如光学临近校正(OPC)设计工艺
G03F1-38 .具有辅助特征的掩膜,例如用于校准或测试的特殊涂层或标记;其制备
                
            G03F 图纹面的照相制版工艺,例如,印刷工艺、半导体器件的加工工艺;其所用材料;其所用原版;其所用专用设备
G03F1-00 用于图纹面的照相制版的原版,例如掩膜,光掩膜;其所用空白掩膜或其所用薄膜;其专门适用于此的容器;其制备
G03F1-20 .用于通过带电粒子束(CPB)辐照成像的掩膜或空白掩膜,例如通过电子束;其制备
G03F1-22 .用于通过100nm或更短波长辐照成像的掩膜或空白掩膜,例如 X射线掩膜、深紫外
G03F1-26 .相移掩膜[PSM];PSM空白;其制备
G03F1-36 .具有临近校正特征的掩膜;其制备,例如光学临近校正(OPC)设计工艺
G03F1-38 .具有辅助特征的掩膜,例如用于校准或测试的特殊涂层或标记;其制备





