[发明专利]SOT-MRAM存储单元及其制备方法在审
| 申请号： | 202110945620.2 | 申请日： | 2021-08-17 |
| 公开（公告）号： | CN113690367A | 公开（公告）日： | 2021-11-23 |
| 发明（设计）人： | 杨美音;罗军 | 申请（专利权）人： | 中国科学院微电子研究所 |
| 主分类号： | H01L43/04 | 分类号： | H01L43/04;H01L43/06;H01L43/08;H01L43/12;H01L43/14 |
| 代理公司： | 北京兰亭信通知识产权代理有限公司 11667 | 代理人： | 孙峰芳 |
| 地址： | 100029 *** | 国省代码： | 北京;11 |
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| 摘要： | 本发明提供一种SOT‑MRAM存储单元及其制备方法，SOT‑MRAM存储单元包括：磁性隧道结，包括从下至上依次层叠的自由层、势垒层和参考层，自由层具有方向可变的垂直磁化，参考层具有方向固定的垂直磁化；位于磁性隧道结下方的自旋轨道耦合层，与自由层接触，自旋轨道耦合层用于产生自旋轨道矩，以使自由层磁化翻转；位于自旋轨道耦合层上方且位于磁性隧道结两侧的第一铁磁层和第二铁磁层，第一铁磁层和第二铁磁层均具有面内水平磁化，磁化方向平行于自旋轨道矩耦合层中通过的写电流方向，以对磁性隧道结产生一个水平磁场。本发明能够在无外加磁场的条件下，利用自旋轨道矩实现自由层确定性的磁化翻转。 | ||
| 搜索关键词： | sot mram 存储 单元 及其 制备 方法 | ||
【主权项】：
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