[发明专利]一种基于各向异性二维材料的偏振光探测器及其制备方法在审
申请号: | 202110928510.5 | 申请日: | 2021-08-13 |
公开(公告)号: | CN113838943A | 公开(公告)日: | 2021-12-24 |
发明(设计)人: | 霍能杰;黎思娜;李京波 | 申请(专利权)人: | 华南师范大学 |
主分类号: | H01L31/032 | 分类号: | H01L31/032;H01L31/112;H01L31/18 |
代理公司: | 北京清控智云知识产权代理事务所(特殊普通合伙) 11919 | 代理人: | 仵乐娟 |
地址: | 510660 广东省广州市天河区中*** | 国省代码: | 广东;44 |
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摘要: | 本发明涉及一种基于各向异性二维材料的偏振光探测器及其制备方法,该偏振光探测器以第一导电类型的二维纳米片沟道层结合第二导电类型的具有各向异性的二维纳米片偏振光敏化半导体层搭建异质结结构,设置第一电极和第二电极分别位于偏振光敏化半导体层的两端侧与纳米片沟道层的表面接触,不与偏振光敏化半导体层接触,实现了可见光至红外波长范围内低噪声、高灵敏的近红外探测;另外其沟道层和偏振光敏化半导体层采用机械剥离法获得,并采用PVA/PDMS辅助干法转移技术将其两层层叠获得器件结构,该制备过程简单,技术成熟,设备易得,成本低廉,非常有利于商业化推广。 | ||
搜索关键词: | 一种 基于 各向异性 二维 材料 偏振光 探测器 及其 制备 方法 | ||
【主权项】:
暂无信息
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L31-00 对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射,或微粒辐射敏感的,并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的,或者专门适用于通过这样的辐射进行电能控制的半导体器件;专门适用于制造或处理这些半导体器件或其部件的方法或
H01L31-02 .零部件
H01L31-0248 .以其半导体本体为特征的
H01L31-04 .用作转换器件的
H01L31-08 .其中的辐射控制通过该器件的电流的,例如光敏电阻器
H01L31-12 .与如在一个共用衬底内或其上形成的,一个或多个电光源,如场致发光光源在结构上相连的,并与其电光源在电气上或光学上相耦合的
H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L31-00 对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射,或微粒辐射敏感的,并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的,或者专门适用于通过这样的辐射进行电能控制的半导体器件;专门适用于制造或处理这些半导体器件或其部件的方法或
H01L31-02 .零部件
H01L31-0248 .以其半导体本体为特征的
H01L31-04 .用作转换器件的
H01L31-08 .其中的辐射控制通过该器件的电流的,例如光敏电阻器
H01L31-12 .与如在一个共用衬底内或其上形成的,一个或多个电光源,如场致发光光源在结构上相连的,并与其电光源在电气上或光学上相耦合的