[发明专利]一种硅基可低温烧结的低介高品质因数微波介质陶瓷的制备及应用

摘要

本发明公开了一种硅基可低温烧结的低介高品质因数微波介质陶瓷的制备及应用。（1）将Li2CO3、SrCO3和SiO2按Li2SrSiO4的组成称量配料；（2）球磨混合6小时，球磨介质为酒精，烘干后预烧；（3）将预烧后粉末与SiTiO3粉末按(1‑x)Li2SrSiO4‑xSrTiO3进行称量，其中x为体积百分比（0≤x≤0.06），再次球磨后添加聚乙烯醇溶液并造粒，再压制成型，最后在大气气氛中烧结。本发明制备的硅基低介高品质因数微波介质陶瓷，介电常数为7.4~8.2，品质因数高达63,200~100,700GHz，谐振频率温度系数近零，能应用于各种陶瓷基板、介质谐振器与滤波器等微波元器件的制造。