[发明专利]晶体硅太阳能电池的退火方法和晶体硅太阳能电池在审
| 申请号： | 202110896871.6 | 申请日： | 2021-08-05 |
| 公开（公告）号： | CN113782636A | 公开（公告）日： | 2021-12-10 |
| 发明（设计）人： | 李吉;杨联赞;时宝;林纲正;陈刚 | 申请（专利权）人： | 天津爱旭太阳能科技有限公司;浙江爱旭太阳能科技有限公司;广东爱旭科技有限公司;珠海富山爱旭太阳能科技有限公司 |
| 主分类号： | H01L31/18 | 分类号： | H01L31/18;H01L31/0216 |
| 代理公司： | 深圳盛德大业知识产权代理事务所(普通合伙) 44333 | 代理人： | 贾振勇 |
| 地址： | 300400 天津市北辰区天*** | 国省代码： | 天津;12 |
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| 摘要： | 本申请适用于太阳能电池技术领域，提供了一种晶体硅太阳能电池的退火方法和晶体硅太阳能电池。晶体硅太阳能电池的退火方法包括：将待氧化的硅片放入退火炉；利用氮气和氧气对退火炉中的硅片进行热氧化处理，以在硅片形成氧化硅层，氧气的占比范围为75％‑90％，氮气的占比范围为10％‑25％；对硅片进行降温退火处理。如此，可以更好地钝化硅片的表面，减少少数载流子的表面负荷，有利于提升光电转换效率。同时，这样可以生成更为致密的氧化硅层，改善电池片的PID。 | ||
| 搜索关键词： | 晶体 太阳能电池 退火 方法 | ||
【主权项】：
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L31-00 对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射，或微粒辐射敏感的，并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的，或者专门适用于通过这样的辐射进行电能控制的半导体器件；专门适用于制造或处理这些半导体器件或其部件的方法或
H01L31-02 .零部件
H01L31-0248 .以其半导体本体为特征的
H01L31-04 .用作转换器件的
H01L31-08 .其中的辐射控制通过该器件的电流的，例如光敏电阻器
H01L31-12 .与如在一个共用衬底内或其上形成的，一个或多个电光源，如场致发光光源在结构上相连的，并与其电光源在电气上或光学上相耦合的
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L31-00 对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射，或微粒辐射敏感的，并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的，或者专门适用于通过这样的辐射进行电能控制的半导体器件；专门适用于制造或处理这些半导体器件或其部件的方法或
H01L31-02 .零部件
H01L31-0248 .以其半导体本体为特征的
H01L31-04 .用作转换器件的
H01L31-08 .其中的辐射控制通过该器件的电流的，例如光敏电阻器
H01L31-12 .与如在一个共用衬底内或其上形成的，一个或多个电光源，如场致发光光源在结构上相连的，并与其电光源在电气上或光学上相耦合的
