[发明专利]晶体硅太阳能电池的退火方法和晶体硅太阳能电池

说明书

本申请适用于太阳能电池技术领域，提供了一种晶体硅太阳能电池的退火方法和晶体硅太阳能电池。晶体硅太阳能电池的退火方法包括：将待氧化的硅片放入退火炉；利用氮气和氧气对退火炉中的硅片进行热氧化处理，以在硅片形成氧化硅层，氧气的占比范围为75％‑90％，氮气的占比范围为10％‑25％；对硅片进行降温退火处理。如此，可以更好地钝化硅片的表面，减少少数载流子的表面负荷，有利于提升光电转换效率。同时，这样可以生成更为致密的氧化硅层，改善电池片的PID。

技术领域

本申请属于太阳能电池技术领域，尤其涉及一种晶体硅太阳能电池的退火方法和晶体硅太阳能电池。

背景技术

相关技术中，晶体硅太阳能电池的工序包括制绒、扩散、SE激光、刻蚀、退火、背镀膜、正镀膜、背面激光开槽、丝网印刷及测试分选，其中退火工序对太阳能电池的效率及可靠性具有很大影响。然而，退火工序中的氧气流量通常在500-1500sccm范围内，电池片氧化效果不明显。基于此，如何改善晶体硅太阳能电池的退火工艺，成为了亟待解决的问题。

发明内容

本申请提供一种晶体硅太阳能电池的退火方法和晶体硅太阳能电池，旨在解决如何改善晶体硅太阳能电池的退火工艺的问题。

第一方面，本申请提供的晶体硅太阳能电池的退火方法，包括：

将待氧化的硅片放入退火炉；

利用氮气和氧气对所述退火炉中的所述硅片进行热氧化处理，以在所述硅片形成氧化硅层，所述氧气的占比范围为75％-90％，所述氮气的占比范围为10％-25％；

对所述硅片进行降温退火处理。

可选地，在所述利用氮气和氧气对所述退火炉中的所述硅片进行热氧化处理的步骤中，氧气的流量范围为3000sccm-8000sccm。

可选地，在所述利用氮气和氧气对所述退火炉中的所述硅片进行热氧化处理的步骤中，氧气的流量范围为4000sccm-7000sccm。

可选地，在所述利用氮气和氧气对所述退火炉中的所述硅片进行热氧化处理的步骤中，所述退火炉内气体的总流量范围为10000sccm-20000sccm。

可选地，在所述利用氮气和氧气对所述退火炉中的所述硅片进行热氧化处理的步骤中，热氧化时长的范围为1400s-2000s。

可选地，在所述对所述硅片进行降温退火处理的步骤中，退火温度的范围为550℃-650℃。

可选地，在所述对所述硅片进行降温退火处理的步骤中，退火时长的范围为800s-1000s。

可选地，在所述将待氧化的硅片放入退火炉的步骤前，所述方法包括：

向所述退火炉中通入氮气；

将所述退火炉内的温度调节至预设温度。

可选地，所述预设温度的范围为750-800℃。

第二方面，本申请提供的晶体硅太阳能电池包括硅片和形成于所述硅片的氧化硅层，所述氧化硅层采用上述任一项的方法制作得到。

本申请实施例的晶体硅太阳能电池的退火方法和晶体硅太阳能电池中，氧气的占比范围为75％-90％，可以更好地钝化硅片的表面，减少少数载流子的表面负荷，有利于提升光电转换效率。同时，这样可以生成更为致密的氧化硅层，改善电池片电势诱导衰减(PotenTIal Induced DegradaTIon，PID)。

附图说明

图1是本申请实施例的晶体硅太阳能电池的退火方法的流程示意图；

图2是本申请实施例的晶体硅太阳能电池的退火方法的流程示意图。

具体实施方式