[发明专利]光刻方法在审
| 申请号： | 202110896270.5 | 申请日： | 2021-08-05 |
| 公开（公告）号： | CN113777885A | 公开（公告）日： | 2021-12-10 |
| 发明（设计）人： | 韩建伟;吴长明;姚振海;陈骆;王绪根;朱联合 | 申请（专利权）人： | 华虹半导体（无锡）有限公司 |
| 主分类号： | G03F7/16 | 分类号： | G03F7/16;G03F7/42 |
| 代理公司： | 上海浦一知识产权代理有限公司 31211 | 代理人： | 戴广志 |
| 地址： | 214028 江*** | 国省代码： | 江苏;32 |
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| 摘要： | 本申请涉及半导体集成电路制造技术领域，具体涉及一种光刻方法。光刻方法包括以下步骤：提供待涂胶的基片；在基片的表面喷涂增黏剂，形成增黏层；在增黏层上涂覆疏水光刻胶，形成具有特定厚度的疏水光刻胶层；对疏水光刻胶层进行曝光操作，使得疏水光刻胶层上形成感光区和非感光区；通过显影液，对曝光操作后的疏水光刻胶层进行显影操作，使得感光区中疏水光刻胶的分子量减小，分子量减小的疏水光刻胶至少部分溶解在显影液中；向显影操作后的疏水光刻胶层上，喷淋表面活性溶液，使得感光区中分子量减小的残留疏水光刻胶与表面活性溶液的疏水基结合，在亲水基的亲水作用下使得分子量减小的残留疏水光刻胶，剥离感光区位置处的基片表面。 | ||
| 搜索关键词： | 光刻 方法 | ||
【主权项】：
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