[发明专利]光刻方法

说明书

本申请涉及半导体集成电路制造技术领域，具体涉及一种光刻方法。光刻方法包括以下步骤：提供待涂胶的基片；在基片的表面喷涂增黏剂，形成增黏层；在增黏层上涂覆疏水光刻胶，形成具有特定厚度的疏水光刻胶层；对疏水光刻胶层进行曝光操作，使得疏水光刻胶层上形成感光区和非感光区；通过显影液，对曝光操作后的疏水光刻胶层进行显影操作，使得感光区中疏水光刻胶的分子量减小，分子量减小的疏水光刻胶至少部分溶解在显影液中；向显影操作后的疏水光刻胶层上，喷淋表面活性溶液，使得感光区中分子量减小的残留疏水光刻胶与表面活性溶液的疏水基结合，在亲水基的亲水作用下使得分子量减小的残留疏水光刻胶，剥离感光区位置处的基片表面。

技术领域

本申请涉及半导体集成电路制造技术领域，具体涉及一种光刻方法。

背景技术

在半导体集成电路生产中，光刻工艺作为制作集成电路图形制作过程中的关键一步，对产品的质量、良率和成本有着重要的影响。

通常，光刻工艺通过涂胶、曝光和显影三大步骤，将掩模板上的图形，转移到涂覆在晶圆表面的光刻胶上。

但是，由于芯片加工过程中产品数量或者光刻层数众多，且不同产品需求的光刻胶种类、属性不同。不同的光刻胶在晶圆上的黏附性有所差异，即有些种类的光刻胶在晶圆上形成的图形会出现倒塌问题，或者有些种类的光刻胶在曝光显影后会出现光刻胶残留的问题，对晶圆集成电路图形的制作产生严重的不利影响。

相关技术中通常采用例如六甲基二硅氮烷等增黏剂，即在涂覆光刻胶前预先在晶圆表面涂覆一层增黏剂，提高光刻胶和晶圆表面的黏附性，以防止光刻图形倒塌问题。但在增黏后，显影打开区域会增大光刻胶残留的问题。

发明内容

本申请提供了一种光刻方法，可以解决相关技术中光刻图形倒塌和疏水光刻胶残留的问题。

为了解决背景技术中所述的技术问题，本申请提供一种光刻方法，所述光刻方法包括以下步骤：

提供待涂胶的基片；

在所述基片的表面喷涂增黏剂，形成增黏层；

在所述增黏层上涂覆疏水光刻胶，形成具有特定厚度的疏水光刻胶层；

依照特定的光刻掩模图形，对所述疏水光刻胶层进行曝光操作，使得所述疏水光刻胶层上形成感光区和非感光区；

通过显影液，对曝光操作后的疏水光刻胶层进行显影操作，使得所述感光区中疏水光刻胶的分子量减小，分子量减小的疏水光刻胶至少部分溶解在所述显影液中；

向显影操作后的所述疏水光刻胶层上，喷淋包括亲水基和疏水基的表面活性溶液，使得所述感光区中，分子量减小的残留疏水光刻胶与所述表面活性溶液的疏水基结合，在所述亲水基的亲水作用下使得分子量减小的残留疏水光刻胶，剥离所述感光区位置处的基片表面。

可选地，所述在所述待涂胶基片的表面喷涂增黏剂，形成增黏层的步骤，包括：

使得所述基片加热至100℃至180℃之间的任意温度；

使得增黏剂以气体形式，喷洒0.03ml至0.05ml的剂量，使得持续20s到50s的时间流向所述基片的周围；

保持所述基片周围环境处于100℃至180℃之间的任意温度，保持20s到50s时间，使得增黏剂气体与基片表面充分反应，形成疏水增黏层。

可选地，所述在所述增黏层上涂覆疏水光刻胶，形成疏水光刻胶层的步骤，包括：

使得形成有增黏层的基片以800RPM到2000RPM的转速旋转；

向所述增黏层的上表面喷入剂量为0.5ml至6ml的疏水光刻胶；

在离心力的作用下，使得所述疏水光刻胶铺满所述增黏层的上表面，烘烤后形成具有特定厚度的疏水光刻胶层。